半導體產業進入2nm時代，要延續摩爾定律，各種技術路線持續浮出展現！
晶背供電 （BSPDN） 技術成為台積電 （TSMC） 與英特爾的競爭焦點。 TSMC將於2026年下半年A16節點推出超級電源軌（SPR）技術，該技術採用晶背直通電晶體方案，直接從背面通電源/汲極，可以最大化晶片的密度與能效，緩解IR壓降與熱耗； 雖然該技術風險較高，但性能領先。
Intel則於2025年20A節點引入 Power Via ，早在Intel發展Intel 4製程節點的時候，就開始導入與測試電晶體側面供電，提供適中的晶片性能提升與降低製程複雜度，可以幫助Intel短期搶佔市場商機。 但是TSMC的SPR優勢或迅速逆轉，尤其是目前Intel處於產能瓶頸的不利局面之下。
SPR與 Power Via 的核心與關鍵製程在於鍵合技術：兩者均需晶圓背面薄化後，將鍵合電源層與邏輯層進行鍵合，在各種鍵合製程的選擇上，表面活化鍵合（SAB：Surface Active Bonding ）技術發揮關鍵作用—SAB通過室溫表面電漿活化形成高強度共價鍵，可以提升對準精度與鍵合穩定性，確保電源直通邏輯層無介面缺陷，避免漏電與熱斑，助力BSPDN良率與可靠性。
青輝半導體Seiki semi提供真空互聯型6110CST設備，具有超高真空（UHV：Ultra- High Vacuum）表面活化後低溫鍵合的功能，在真空下互聯PVD鍍膜與電漿表面活化腔體，可以讓異質鍵合介面缺陷更低，確保元件性能的穩定性。