6210HB是一款混合鍵合(Hybrid bonding)專用設備。用於混合鍵合的晶圓表面有Cu pad和介電材料(SiO2或SiCN等)組成的圖案,並且Cu pad有一定的下凹量(Dishing),通過等離子體處理、水洗甩幹使圖案晶圓表面的介電材料富集-OH,在大氣、室溫下通過MARK進行高精度對準、鍵合。

相容晶圓尺寸

退火後鍵合強度

鍵合精度

產能

6-12寸

≥2.0J/m²
Si-SiO2

≤±100nm

WPH≥12

 

規格參數

項目

指標

晶圓尺寸

6、8、12 inch

上料方式

Cassette、SMIF、Foup可選

鍵合精度

±0.5μm; ±0.2μm; ±0.1μm

鍵合強度

≥2.0J/㎡ (退火後)

產能

≥12 bond/h

多模組一體化整合

尋邊、等離子體活化、清洗、對準鍵合、精度檢測、缺陷檢測、解鍵合

藥液清洗

選配

微環境

FFU控制,可達ISO Class1

設備特點:

  1. 兩種高精度對準方式可選
    提供Face to Face和紅外穿透兩種對準模式,滿足不同製程需求;
         
  2. 行業領先的鍵合精度
    Face to Face:對準精度≤±30nm,鍵合精度≤±200nm; 紅外穿透:對準精度≤±30nm,鍵合精度≤±100nm;

  3. 鍵合波傳播精確控制
    採用優化的分區吸附卡盤,各分區可獨立調壓、釋放,可程式設計實現精確的鍵合波傳播控制,以應對複雜變形晶圓;

  4. 智能化overlay補償
    對鍵合後晶圓進行高通量的overlay全區域檢測,檢測結果回饋至鍵合模組,自動進行overlay補償;