6110 CST是一款專為半導體及異質材料鍵合設計的量產型設備,採用多腔室團簇式設計,整合活化、烘烤、濺射(離子束/磁控)及對準鍵合功能。各腔室獨立配備幹泵和分子泵,實現快速抽真空;活化模組高效清除表面氧化層,烘烤模組快速除水汽;支援邊緣/Mark精准對準,相容Cassette自動上下料,滿足高效量產需求。
相容晶圓尺寸 | 控壓精度 | 鍵合精度 | 產能 |
2-12寸 | ±0.5% | ≤±1μm | WPH≥12 |
規格參數:
項目 | 指標 |
晶圓尺寸 | 2-12 inch |
適配材料 | Si、LT/LN、藍寶石、InP、sicGaAs、GaN 等半導體材料以及金屬、玻璃等 |
產能 | ≥12 pairs/h |
上料模式 | Cassette |
加壓系統最大壓力 | 100kN |
靶材數量 | ≥2個,可旋轉 |
對準方式及精度 | 邊緣對準精度≤±50μm;Mark對準精度≤±2μm |
佈局 | 多腔室團簇式佈局 |
設備特點:
- 高效自動化上下料
支援Cassette、自製暗盒或EFEM多種上料方式,配備高精度機械手和晶圓180°翻轉機構,採用ESC吸附確保穩定傳輸。
- 超高性能真空系統
Cluster、烘烤、活化及濺射腔室極限真空≤9.0E-6Pa,鍵合腔室≤5.0E-6Pa,LC腔抽真空≤3分鐘、破空≤1分鐘,實現高效節拍與穩定製程環境。
- 精密對準與壓力控制
整合尋邊定位機構(角度≤±0.2°、位置≤±0.1mm),支持100KN最大加壓壓力,壓機精度≤±0.5%且壓力均勻性≤±5%,保障鍵合精度與一致性。
- 高效活化與量產能力
活化刻蝕速率≥15nm/min且粗糙度增加值≤0.1nm,WPH≥12,結合烘烤模組快速除水汽,滿足高產量與高品質需求。
