8210CW是一款全自動C2W混合鍵合設備，既可以使用有圖案晶片進行C2W混合鍵合，實現Cu-Cu高密度互聯；也可以使用無圖案的裸晶片進行C2W親水性鍵合，形成重組晶圓後，再進行後續的晶片圖案化。

兼容晶圓尺寸

晶片最小尺寸

晶片最小厚度

鍵合方向

鍵合精度

單鍵合頭產能

8-12寸

0.5*0.5mm

35μm

可選從下往上

±200nm

UPH≥400
@±200nm鍵合精度

項目

參數

設備模組

活化、清洗、頂取、對準、鍵合、檢測

LP規格

FOUP*2，TF*2

晶圓尺寸

8,12英寸

對準方式

片間同軸， 紅外穿透

Chip尺寸

片間同軸對準: 0.5mm*0.5mm—50mm*50mm

紅外穿透對準: 5mm*8mm—40mm*40mm

對準精度

片間同軸：＜100nm@3σ

紅外穿透：＜50nm@3σ

鍵合精度

片間同軸: Max<500nm

紅外穿透: Max<200nm

UPH

單鍵合頭>1000@100nm@3σ

單鍵合頭>400@50nm@3σ

外形尺寸

4700(L)×3400(W)×2700(H)mm

總重量

6000kg

設備特點：

  1. 強大的晶片尺寸相容能力
    通過優化晶片拾取技術，晶片厚度最薄至35μm，尺寸跨度0.5*0.5mm—50*50mm；
  1. 相容不同對準方式
    片間同軸：鍵合精度≤±500nm；紅外穿透：鍵合精度≤±200nm；
  1. 可選從下往上鍵合
    除從上往下之外，可選從下往上鍵合。從下往上鍵合過程中，晶圓鍵合面朝下，晶片無需翻轉，大大降低顆粒污染風險；

  2. overlay即時測量與回饋控制
    晶片鍵合後即時測量overlay，通過演算法在後續晶片鍵合中自動進行補償，保證穩定的鍵合精度；