對先進封裝來說,不管是同質或異質材料間的接合,或者是混合材料間的接合,都是個很重要的課題,當然,另外衍生出來的問題,就是如何在低溫狀態下來做接合,以避免產生其他如材料在機械性質匹配的議題。
利用電漿進行表面活化接合的方式(Surface Active Bonding, SAB),可以有效解決目前先進封裝的上述問題,並且在室溫下完成。須賀教授著墨在電漿表面活化的領域多年,在這篇論文裡,從SAB的發展背景與概念談起,並利用界面微結構的觀察以及其他分析方法,討論SAB的接合機制,再延伸到導入其他材料的奈米層搭配SAB的方法,來解決目前SiO2鍵合強度不足的缺點,有相當詳盡的說明。
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標題:Recent progress in surface activated bonding for 3D and heterogeneous integration
作者:Tadatomo Suga
連結:https://doi.org/10.35848/1347-4065/adcfab
